超致半導(dǎo)體
超致SJ-MOSFET 的第一代產(chǎn)品，性能和可靠性接近英飛凌C3，動態(tài)特性接近C6，能夠完全替代英飛凌C3或C6產(chǎn)品。
?高效率
比較高的輕載、滿載效率，超低的導(dǎo)通內(nèi)阻、Qg，有效的降低導(dǎo)通、開關(guān)損耗。
?低溫升
較低的功耗，有效的降低電源整體的工作溫度，延長電源的使用壽命。
?高穩(wěn)定性
比較強(qiáng)的EAS能力，能對電源抗沖擊能力提供有效保障。芯片內(nèi)部缺陷遠(yuǎn)少于低成本的溝槽工藝產(chǎn)品，高溫穩(wěn)定性大大提高。
?易用性
超致的SJ-MOSFET在使用過程中簡單、易用，驅(qū)動電流需求很小，對新一代高速開關(guān)電源提供有力的支持。
?型號齊全
超致SJ-MOSFET擁有比較全的型號，電壓等級覆蓋500V，600V，650V，700V，800V，900V；電流等級覆蓋2A，5A，7A，10A，11A，15A，20A，30A，47A等全系列產(chǎn)品。后續(xù)還會開發(fā)更多規(guī)格的產(chǎn)品。
?應(yīng)用范圍廣
超致產(chǎn)品從消費(fèi)類到工業(yè)類都有廣泛的應(yīng)用，例如LED照明，各種中小功率充電器，大功率充電樁，通信電源，工業(yè)電源……
超致SJ-MOSFET 的第一代產(chǎn)品，性能和可靠性接近英飛凌C3，動態(tài)特性接近C6，能夠完全替代英飛凌C3或C6產(chǎn)品。
?高效率
比較高的輕載、滿載效率，超低的導(dǎo)通內(nèi)阻、Qg，有效的降低導(dǎo)通、開關(guān)損耗。
?低溫升
較低的功耗，有效的降低電源整體的工作溫度，延長電源的使用壽命。
?高穩(wěn)定性
比較強(qiáng)的EAS能力，能對電源抗沖擊能力提供有效保障。芯片內(nèi)部缺陷遠(yuǎn)少于低成本的溝槽工藝產(chǎn)品，高溫穩(wěn)定性大大提高。
?易用性
超致的SJ-MOSFET在使用過程中簡單、易用，驅(qū)動電流需求很小，對新一代高速開關(guān)電源提供有力的支持。
?型號齊全
超致SJ-MOSFET擁有比較全的型號，電壓等級覆蓋500V，600V，650V，700V，800V，900V；電流等級覆蓋2A，5A，7A，10A，11A，15A，20A，30A，47A等全系列產(chǎn)品。后續(xù)還會開發(fā)更多規(guī)格的產(chǎn)品。
?應(yīng)用范圍廣
超致產(chǎn)品從消費(fèi)類到工業(yè)類都有廣泛的應(yīng)用，例如LED照明，各種中小功率充電器，大功率充電樁，通信電源，工業(yè)電源……
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