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產(chǎn)品中心

ASTSIC

碳化硅MOS管系列

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鍇威特半導(dǎo)體

碳化硅二極管系列

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產(chǎn)品特點(diǎn)： 低VF，高浪涌電流耐量極小的反向恢復(fù)電荷，大幅降低開光損耗VF正溫度系數(shù)，利于并聯(lián)使用Trr溫度特性更加穩(wěn)定，利于高溫應(yīng)用
維安半導(dǎo)體

超結(jié)高壓MOS管系列

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特點(diǎn)：? 500V-1200V 超結(jié)MOSFET? RDS(ON) 0.04Ω-7Ω? 深溝槽& 多次外延超潔MOSFET技術(shù) 優(yōu)勢：? 800V, 900V 系列? 小尺寸SOT223, PDFN8*8 ? C4 系列超結(jié) MOSFET
超致半導(dǎo)體

超結(jié)高壓MOS管系列

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超致SJ-MOSFET 的第一代產(chǎn)品，性能和可靠性接近英飛凌C3，動(dòng)態(tài)特性接近C6，能夠完全替代英飛凌C3或C6產(chǎn)品。?高效率比較高的輕載、滿載效率，超低的導(dǎo)通內(nèi)阻、Qg，有效的降低導(dǎo)通、開關(guān)損耗。?低溫升較低的功耗，有效的降低電源整體的工作溫度，延長電源的使用壽命。?高穩(wěn)定性比較強(qiáng)的EAS能力，能對(duì)電源抗沖擊能力提供有效保障。芯片內(nèi)部缺陷遠(yuǎn)少于低成本的溝槽工藝產(chǎn)品，高溫穩(wěn)定性大大提高。?易用性超致的SJ-MOSFET在使用過程中簡單、易用，驅(qū)動(dòng)電流需求很小，對(duì)新一代高速開關(guān)電源提供有力的支持。?型號(hào)齊全超致SJ-MOSFET擁有比較全的型號(hào)，電壓等級(jí)覆蓋500V，600V，650V，700V，800V，900V；電流等級(jí)覆蓋2A，5A，7A，10A，11A，15A，20A，30A，47A等全系列產(chǎn)品。后續(xù)還會(huì)開發(fā)更多規(guī)格的產(chǎn)品。?應(yīng)用范圍廣超致產(chǎn)品從消費(fèi)類到工業(yè)類都有廣泛的應(yīng)用，例如LED照明，各種中小功率充電器，大功率充電樁，通信電源，工業(yè)電源……
AUK

超結(jié)高壓MOS管系列

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AUK has Silicon based Planar and Super Junction, Trench MOSFETs, Schottky barrier diodes, Ultrafast rectifier diodes and IGBTs. Silicon Carbide (SiC) devices cover Schottky diodes and MOSFETs.
SemiHow

超結(jié)高壓MOS管系列

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Super Junction MOSFET- Deep trench processing technology and EPI stack & EPI filling technology over 45 μm EPI depth- Transforming vertical electromagnetic fields into horizontal forms and using EPI high in the same specification- Higher concentration of EPI stack-Tech. reduces Rsp, reducing chip size by 70% with the same specifications as Planar MOSFET
深鴻盛

超結(jié)高壓MOS管系列

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主要產(chǎn)品有碳化硅肖特基二極管（SiC Schottky Diodes）、超快恢復(fù)整流二極管（FRED）、場效應(yīng)管(MOSFET)、多層外延超結(jié)MOS(SJ-MOSFET) 、中低壓SGT MOS、Sic & IGBT及模塊,產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于PD電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、新能源BMS、工業(yè)電源、通信電源、UPS電源、電動(dòng)工具、高頻逆變器、光伏逆變器、充電樁、 LED照明、電動(dòng)車控制器及其他各類電源。
安路電子

安路電子保險(xiǎn)絲產(chǎn)品系列

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1、選用所需要的安規(guī)認(rèn)證根據(jù)整機(jī)所需要的安規(guī)認(rèn)證決定保險(xiǎn)絲的安規(guī)認(rèn)證，如UL,C-UL,VDE,CCC,SEMKO,PSE,KTL,BSI等規(guī)格 2、選用保險(xiǎn)絲的尺寸形狀根據(jù)電路設(shè)計(jì)中的空間決定尺寸的大小，如長度、直徑、是否帶引線等。 3、選用保險(xiǎn)絲的額定電壓選用保險(xiǎn)絲的額定電壓需選用大于或等于實(shí)際電路中所需的有效電壓，一般有24V,32V,63V,125V,250V,350V等。 4、選用保險(xiǎn)絲的分?jǐn)嗄芰?lt;/p>選用保險(xiǎn)絲的分?jǐn)嗄芰?yīng)大于電路中的最大故障電流。 5、選用保險(xiǎn)絲的額定電流因保險(xiǎn)絲在實(shí)際電路使用中與實(shí)驗(yàn)室測試條件的差異（如：客戶在安裝保險(xiǎn)絲所使用的保險(xiǎn)絲盒、保險(xiǎn)絲夾產(chǎn)生的接觸電阻和電路中電線橫截面積等差異），考慮以上因素，故在25°C條件下所選用的保險(xiǎn)絲管應(yīng)滿足如下條件才可使用保險(xiǎn)絲管持續(xù)可靠地工作：UL規(guī)格：保險(xiǎn)絲管的額定電流（In）=穩(wěn)態(tài)電流/0.75IEC規(guī)格：保險(xiǎn)絲管的額定電流（In）=穩(wěn)態(tài)電流/0.9JIS規(guī)格：保險(xiǎn)絲管的額定電流（In）=穩(wěn)態(tài)電流/0.85環(huán)境溫度：保險(xiǎn)絲的電流承載能力測試是在環(huán)境溫度25°C條件下進(jìn)行的，環(huán)境溫度越高，保險(xiǎn)絲的壽命越短，承載能力越低，所以選保險(xiǎn)絲時(shí)應(yīng)考慮環(huán)境溫度。 6、考慮電流脈沖脈沖會(huì)產(chǎn)生熱循環(huán)，并產(chǎn)生會(huì)影響保險(xiǎn)絲壽命的機(jī)械疲勞，在設(shè)計(jì)時(shí)應(yīng)使用實(shí)際脈沖I2t在考慮脈沖因素的前提下小于保險(xiǎn)絲的額定熔化熱能I2t（保險(xiǎn)絲定額I2t＞實(shí)際脈沖I2t/Pf） 首先根據(jù)在實(shí)際電路中產(chǎn)生的最大脈沖，計(jì)算出次脈沖的I2T值；其次利用脈沖循環(huán)承受能力，客戶選定承受該脈沖的次數(shù)；最后利用脈沖循環(huán)承受能力和電路中脈沖I2T值，計(jì)算所需保險(xiǎn)絲的I2T值。
冠禹半導(dǎo)體

中低壓MOS管系列

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研發(fā)測試實(shí)驗(yàn)室滿足功率器件研發(fā)、工程、應(yīng)用測試各項(xiàng)需求：- 器件的靜態(tài)直流參數(shù)（BVDSS/VTH/IDSS/IGSS/RDSON/VSD等）- 器件的動(dòng)態(tài)參數(shù)（Ciss/Crss/Coss/Qg/Qgs/Qgd/Trr/Qrr/Tdon/Tr/Tdoff/Tf/Rg等）- 器件的EAS雪崩擊穿參數(shù)- 器件的ESD抗靜電能力- 系統(tǒng)應(yīng)用的溫升/效率/波形- 系統(tǒng)應(yīng)用的EMI/EMC 可靠性實(shí)驗(yàn)室根據(jù)客戶要求執(zhí)行JEDEC的各級(jí)標(biāo)準(zhǔn)考核可靠性試驗(yàn)項(xiàng)目：- 高溫正偏/反偏HTRB/HTGB- 吸濕敏感度MSL- 溫度循環(huán)TCT- 高溫蒸煮PCT- 高溫儲(chǔ)存HTST- 溫濕度儲(chǔ)存THT- 可焊性試驗(yàn)Solderability
光磊電子

中低壓MOS管系列

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研發(fā)設(shè)計(jì)- 版圖設(shè)計(jì)Candences、L-EDIT- 結(jié)構(gòu)及工藝仿真- Sentaurus、Tsuprem4、Silvaco、Medic 晶圓制造- Bipolar- Planar- Trench- SGT- Depletion- IGDCT 封裝測試- TO-251、TO-220、TO-220F、TO-3P、TO-247- SOT-23、SOT-89、SOP-8、TO-252、QFN- SOT-227B 已先后在產(chǎn)品結(jié)構(gòu)創(chuàng)新，改善功率器件性能、提高功率器件可靠性等方面獲得多項(xiàng)專利。
NXP

分銷系列

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infineon

分銷系列

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